特許
J-GLOBAL ID：200903063501326507

導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器

発明者：
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164635
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 ミクロンオーダーの精度を有し、尚且つ、簡便な工程で良質な導電膜パターンを形成する手段を提供する。【解決手段】 基板表面に有機分子膜を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成するとともに、導電性微粒子を分散させた液体を親液部に選択的に塗布した後、熱処理によって導電膜に変換することにより、親液部のみに導電膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板表面に有機分子膜を用いて親液部と撥液部とを所定のパターンに形成する工程と、導電性微粒子を含有した液体を前記親液部に選択的に塗布する工程と、前記親液部に塗布された前記液体を熱処理によって導電膜に変換する工程と、からなることを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H05K 3/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H05K 3/00 A ,  H01B 13/00 503 D ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M
Fターム (50件)：
4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS21 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE37 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL21 ,  5F110HM19 ,  5F110QQ01 ,  5G323CA05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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