特許

J-GLOBAL ID：200903025301936735

半導体製造装置内壁面の処理方法

発明者： 江嶋 毅 ,  鮫島 貞一郎
出願人/特許権者： 株式会社ネオス
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091297
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置内に存在および/または発生する汚染物を低減させる。【解決手段】 半導体製造装置内壁の表面上に溶射膜を形成させた後、該溶射膜をブラスト処理に付し、次いで該ブラスト処理面を洗浄処理に付すことを含む半導体製造装置内壁面の処理方法。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置内壁の表面上に溶射膜を形成させた後、該溶射膜をブラスト処理に付し、次いで該ブラスト処理面を洗浄処理に付すことを含む半導体製造装置内壁面の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 648 ,  C23C 4/08 ,  C23C 14/00 ,  C23G 5/00

FI (4件)：

H01L 21/304 648 Z ,  C23C 4/08 ,  C23C 14/00 B ,  C23G 5/00

Fターム (13件)：

4K029BD01 ,  4K029DA09 ,  4K031AA04 ,  4K031AA08 ,  4K031CB39 ,  4K031FA04 ,  4K031FA13 ,  4K053PA06 ,  4K053PA09 ,  4K053PA10 ,  4K053PA18 ,  4K053RA07 ,  4K053SA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 成膜装置用部品およびその再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-101095   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平4-268065
  
• 特開平4-268065