特許
J-GLOBAL ID：200903025309569715
III-V族化合物半導体ウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132033
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321487
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 デバイスプロセスで割れが生じにくいIII-V族化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体からなるウェハ21は、断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周端部が面取りされた、III-V族化合物からなる基板22と、基板22上に形成されたIII-V族化合物層からなるエピタキシャル層26とを備える。ウェハ22の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rの関係を満足する。
請求項（抜粋）：
断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周縁部が面取りされた、III-V族化合物からなる半導体基板と、この基板上に形成されたIII-V族化合物層とを備えたIII-V族化合物半導体ウェハにおいて、前記III-V族化合物半導体ウェハ上の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rを満足することを特徴とする、III-V族化合物半導体ウェハ。
引用特許：
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