酸化亜鉛薄膜の製造方法、半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337075
公開番号（公開出願番号）：特開平11-217692
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れ、結晶粒の異常成長を抑制した製造方法を提供する。特に、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬された導電性基板と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電し、同時に前記導電性基板を振動させることにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有してなる水溶液に浸漬された導電性基板と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電し、同時に前記導電性基板を振動させることにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C25D 9/04 , H01L 31/04

FI (2件)：

C25D 9/04 , H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

酸化亜鉛膜作製用電解液
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-023775 出願人：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
特開平3-260087
電気めっき方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-062546 出願人：新日本製鐵株式会社

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