特許

J-GLOBAL ID：200903025338543628

半導体基板試験装置

発明者： 近藤 進
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 前田 均 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248905
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077160
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】テスタ本体から送出されるテスト信号の波形を高精度で測定できる半導体基板試験装置を提供する。【解決手段】ウェハWに形成されたデバイス部に複数のテスト信号を送出してテストを行い、その結果に応じてデバイス部の良否を判別する半導体基板試験装置1であって、デバイス部に電気的に接触する複数のニードル342と、このニードル342の近傍に設けられた接地部343とが一主面に設けられたプローブカード34と、ニードル342に電気的に接触する接触部353と、接地部343に電気的に接触するニードル352とが一主面に設けられた測定用チップ35とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたデバイス部に複数のテスト信号を送出してテストを行い、その結果に応じて前記デバイス部の良否を判別する半導体基板試験装置であって、前記デバイス部に電気的に接触する複数の第1針状接点と、この第1針状接点の近傍に設けられた接地部とが一主面に設けられ、テストヘッド基板に電気的に接続されるプローブカードと、前記第1針状接点に電気的に接触する接触部と、前記接地部に電気的に接触する第2針状接点とが一主面に設けられた測定用チップと、を備えた半導体基板試験装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

H01L 21/66 B ,  G01R 31/26 J

Fターム (18件)：

2G003AA10 ,  2G003AF03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG13 ,  2G003AH00 ,  2G003AH05 ,  2G003AH09 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA60 ,  4M106DD04 ,  4M106DD10 ,  4M106DD15 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-222090   出願人：三星電子株式会社