特許
J-GLOBAL ID:200903025340791329

半田接合方法及びパワー半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-312995
公開番号(公開出願番号):特開平8-168876
出願日: 1994年12月16日
公開日(公表日): 1996年07月02日
要約:
【要約】【目的】 本発明は接合面との間に半田箔を挟み加熱接合する半田接合法において、大面積を高信頼性で接合できる半田接合法を提供するにある。【構成】 接合面をチャンバー内でイオン等の加速粒子でクリーニングした後、クリーニングされた接合面に銀を被覆し、さらにクリーニングされた半田を接合面に挟み真空中で加熱接合する大面積半田接合法。【効果】 大面積の半田接合欠陥を従来法の約1/25、また接合半田の熱疲労寿命も約2倍にすることができるので信頼性を大幅に向上させる効果がある。
請求項(抜粋):
表面がニッケルより成る一つの接合体及び他の接合体の両接合面をイオン等の加速粒子を当ててクリーニングする工程と、半田箔の表面をイオン等の加速粒子を当ててクリーニングする工程と、前記クリーニングした両接合体の接合面に銀、金等の酸化防止膜を被覆する工程と、この酸化防止膜で被覆された接合面の間に前記クリーニングされた半田箔を挟み減圧雰囲気下で半田の溶融温度に加熱して一体に接合する工程を含む半田接合方法。
IPC (3件):
B23K 1/20 ,  C23F 4/00 ,  H01L 23/12
引用特許:
審査官引用 (3件)

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