特許
J-GLOBAL ID：200903025355513252

シリカ系有機被膜の製造方法

発明者：
渋谷 達彦

渋谷 達彦 について

, 
藤井 恭

藤井 恭 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-152711
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096076
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】高温プロセスに適用可能であり、配線間の微小なスペースを隙間無く埋め込むことができて、サイドエッチングの発生を防止することができるとともに、雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスが少ない被膜を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物および一般式(II)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上からなる第1のアルコキシシラン化合物を、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を酸素濃度1000ppm以下の雰囲気中で焼成してシリカ系有機被膜を形成する。または該第1のアルコキシシラン化合物と、下記一般式(III)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上からなる第2のアルコキシシラン化合物とを併用してもよい。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で表される化合物および下記一般式(II)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上からなる第1のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成する工程と、 該塗膜を酸素濃度1000ppm以下の雰囲気中で焼成して被膜を形成する工程とを含むことを特徴とするシリカ系有機被膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768
FI (4件)：
H01L21/316 G ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/90 S
Fターム (44件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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