特許

J-GLOBAL ID：200903094658283740

低誘電率膜の製造法

発明者： 成田 武憲 ,  森嶋 浩之 ,  寺田 信子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149010
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340651
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 LSIの層間絶縁膜等として好適な、比誘電率が低く(2.5以下が可能)、耐熱性が高い(450°C以上が可能)、高品位な膜を簡単に歩留まり良く製造できる品質管理が容易でコストを抑制効果の優れた低誘電率膜の製造法を提供する。【解決手段】 成分Bに対するエッチング速度が成分Aに対するエッチング速度の10倍以上であるエッチング液を用いて、成分A及び成分Bからなる複合膜をエッチングする工程を含む低誘電率膜の製造法。

請求項（抜粋）：

成分Bに対するエッチング速度が成分Aに対するエッチング速度の10倍以上であるエッチング液を用いて、成分A及び成分Bからなる複合膜をエッチングする工程を含む低誘電率膜の製造法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/312

FI (7件)：

H01L 21/90 S ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/90 Q

Fターム (26件)：

4J002CP031 ,  4J002DJ016 ,  4J002GQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033RR20 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX23 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD07 ,  5F043EE22 ,  5F043EE23 ,  5F043GG03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-109210   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-179729