特許
J-GLOBAL ID：200903025357205652
半導体光変調器およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062683
公開番号（公開出願番号）：特開2005-250267
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 動作不良が抑制され、また、高速動作に対応可能な半導体光変調器およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体光変調器は、基板1と、基板1上にクラッド層3Bを介して多重量子井戸層2と、多重量子井戸層2上にクラッド層3Aと、基板1上における多重量子井戸層2およびクラッド層3Bからなる積層構造(リッジ4)に対して一方側にP型の半導体層50と、基板1上におけるリッジ4に対して他方側にN型の半導体層70と、クラッド層3A上にクラッド層9と、半導体層50,70上にP型/N型電極10,11とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に多重量子井戸層と、
前記多重量子井戸層上に第1クラッド層と、
前記基板上における前記多重量子井戸層および前記第1クラッド層の積層構造に対して一方側に第1導電型の第1半導体層と、
前記基板上における前記多重量子井戸層および前記第1クラッド層の積層構造に対して他方側に第2導電型の第2半導体層と、
前記第1クラッド層上に第2クラッド層と、
前記第1と第2半導体層上に第1と第2電極とを備えた半導体光変調器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
