レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-249790
公開番号（公開出願番号）：特開2008-209894
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】活性光線又は放射線、特に、KrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における、高解像性、高感度、パターン形成後の現像欠陥を低減させることで、歩留まりを向上させることが可能なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の繰り返し単位を含有する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(C)溶剤を含有するレジスト組成物において、(C)溶剤として(C1)プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及び、(C2)プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、鎖状ケトン及び、環状ケトンから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とするレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(C)溶剤を含有するレジスト組成物において、(C)溶剤として(C1)プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及び、(C2)プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、鎖状ケトン及び、環状ケトンから選ばれる少なくとも1種とを含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (7件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 20/10 , C08F 20/42 , C08F 22/14 , C08F 212/04

FI (7件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , C08F20/10 , C08F20/42 , C08F22/14 , C08F212/04

Fターム (48件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 4J100AB07Q , 4J100AL08P , 4J100AL21P , 4J100AL51P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA05P , 4J100BA05Q , 4J100BA20P , 4J100BA22P , 4J100BA31P , 4J100BA40P , 4J100BB07P , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC43P , 4J100BC48P , 4J100BC49P , 4J100BC53P , 4J100BC58P , 4J100BC69P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5561194号明細書
放射線感光材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-276597 出願人：富士通株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-253740 出願人：日本合成ゴム株式会社

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