特許

J-GLOBAL ID：200903025357926635

処理装置

発明者： 飽本 正巳 ,  伊東 晃
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045613
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 装置の小型化を図ると共に、装置の精度の向上を図ること。【解決手段】 未処理及び処理済みの半導体ウエハWを収容するカセット42a,42bを配置し、半導体ウエハWを搬送するピンセット41を具備するカセットステーション40の一方側に、半導体ウエハWの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布部18を有する塗布処理部10を配設する。また、カセットステーション40の他方側に、半導体ウエハWの露光部を現像処理する現像処理部30を配設する。これにより、塗布処理部10の雰囲気と現像処理部30の雰囲気を区画することができると共に、1つのカセットステーション40から直接塗布処理部10や現像処理部30へ半導体ウエハWを搬送することができる。

請求項（抜粋）：

未処理の被処理体を収容する第1の容器と処理済みの被処理体を収容する第2の容器とを配置し、これら容器との間で上記被処理体を搬出又は搬入する搬送機構を具備する被処理体の搬入・搬出部と、上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体の表面に処理液を塗布する塗布処理部と、上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体の塗布膜を現像処理する現像処理部と、を具備することを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/304 341 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 J ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-305914
  
• 特開平4-084410
  
• レジスト処理方法およびレジスト処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-290494   出願人：ソニー株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-345150   出願人：大日本スクリーン製造株式会社