特許
J-GLOBAL ID：200903025364246542

炭素膜被覆物品及びその製造方法

発明者：
村上 泰夫

村上 泰夫 について

, 
三上 隆司

三上 隆司 について

, 
村上 浩

村上 浩 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201339
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043867
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】基体上に炭素膜が形成された炭素膜被覆部材であって、炭素膜の基体への密着性が高い炭素膜被覆部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】基体11上に、混合層12、タングステン膜13及び炭素膜14が形成された炭素膜被覆部材1。混合層12は、タングステンと基体11の構成元素を含む元素からなる。混合層12の厚みは例えば1nm〜200nmとする。タングステン膜13の厚みは例えば5nm〜170nmとする。炭素膜14の厚みは例えば500nm〜5μmとする。陰極を含む真空アーク蒸発源を有する真空アーク蒸着装置において、アーク放電により蒸発させた陰極材料を利用して、混合層12、タングステン膜13及び炭素膜14のうちの少なくとも一つを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭素膜被覆物品であり、該物品の基体上に形成され、該基体構成元素及びタングステンを含む混合層と、該混合層上に形成されたタングステン膜と、該タングステン膜上に形成された炭素膜とを含む炭素膜被覆物品。
IPC (2件)：
C23C14/06 ,  C23C14/24
FI (3件)：
C23C14/06 N ,  C23C14/06 F ,  C23C14/24 F
Fターム (10件)：
4K029BA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BC02 ,  4K029BD00 ,  4K029BD03 ,  4K029BD05 ,  4K029CA13 ,  4K029EA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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