特許
J-GLOBAL ID：200903025376549087
BEEM測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357554
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183488
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 BEEM測定用試料の作製からBEEM観察までを一括して制御すると共に、MS接合やMIS接合のBEEM電流をナノメートルの空間分解能で正確にかつ容易に測定、評価する技術が求められている。【解決手段】 試料ホルダに保持された半導体基板上に、真空雰囲気下で直接もしくは中間層を介して金属膜を形成するBEEM試料作製手段6と、金属膜から半導体基板に流れるBEEM電流を真空雰囲気下で測定するBEEM手段7と、金属膜を有する半導体基板を真空雰囲気下でBEEM試料作製手段6からBEEM手段7まで搬送する搬送路1と、この搬送路1内において、試料ホルダをBEEM用ホルダに固定すると同時に、金属膜および半導体基板それぞれにBEEM電流測定用の電極を電気的に接続させる手段とを具備するBEEM測定装置である。BEEM試料作製手段7から搬送路1を介してBEEM手段7まで 1×10-7Pa以下の真空雰囲気に保たれている。
請求項（抜粋）：
試料ホルダに保持された半導体基板上に、真空雰囲気下で直接もしくは中間層を介して金属膜を形成するBEEM試料作製手段と、前記金属膜から前記半導体基板に流れるBEEM電流を真空雰囲気下で測定するBEEM手段と、前記試料ホルダに保持された前記金属膜を有する半導体基板を、真空雰囲気下で前記BEEM試料作製手段から前記BEEM手段まで搬送する搬送路と、前記搬送路内において、前記金属膜を有する半導体基板を保持する前記試料ホルダをBEEM用ホルダに固定すると同時に、前記金属膜および前記半導体基板それぞれにBEEM電流測定用の電極を電気的に接続させる手段とを具備し、前記BEEM試料作製手段から前記搬送路を介して前記BEEM手段までが 1×10-7Pa以下の真空雰囲気に保たれていることを特徴とするBEEM測定装置。
IPC (4件)：
G01N 37/00
, G01N 27/00
, H01J 37/28
, H01L 21/66
G01N 37/00 H
, G01N 27/00 Z
, H01J 37/28 X
, H01L 21/66 L
, H01L 21/66 N
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
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