特許

J-GLOBAL ID：200903025376549087

BEEM測定装置

発明者： 角谷 透 ,  三浦 忠男 ,  田中 俊一郎
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  三浦 忠男 ,  田中 俊一郎
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357554
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183488
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 BEEM測定用試料の作製からBEEM観察までを一括して制御すると共に、MS接合やMIS接合のBEEM電流をナノメートルの空間分解能で正確にかつ容易に測定、評価する技術が求められている。【解決手段】 試料ホルダに保持された半導体基板上に、真空雰囲気下で直接もしくは中間層を介して金属膜を形成するBEEM試料作製手段6と、金属膜から半導体基板に流れるBEEM電流を真空雰囲気下で測定するBEEM手段7と、金属膜を有する半導体基板を真空雰囲気下でBEEM試料作製手段6からBEEM手段7まで搬送する搬送路1と、この搬送路1内において、試料ホルダをBEEM用ホルダに固定すると同時に、金属膜および半導体基板それぞれにBEEM電流測定用の電極を電気的に接続させる手段とを具備するBEEM測定装置である。BEEM試料作製手段7から搬送路1を介してBEEM手段7まで 1×10-7Pa以下の真空雰囲気に保たれている。

請求項（抜粋）：

試料ホルダに保持された半導体基板上に、真空雰囲気下で直接もしくは中間層を介して金属膜を形成するBEEM試料作製手段と、前記金属膜から前記半導体基板に流れるBEEM電流を真空雰囲気下で測定するBEEM手段と、前記試料ホルダに保持された前記金属膜を有する半導体基板を、真空雰囲気下で前記BEEM試料作製手段から前記BEEM手段まで搬送する搬送路と、前記搬送路内において、前記金属膜を有する半導体基板を保持する前記試料ホルダをBEEM用ホルダに固定すると同時に、前記金属膜および前記半導体基板それぞれにBEEM電流測定用の電極を電気的に接続させる手段とを具備し、前記BEEM試料作製手段から前記搬送路を介して前記BEEM手段までが 1×10-7Pa以下の真空雰囲気に保たれていることを特徴とするBEEM測定装置。

IPC (4件)：

G01N 37/00 ,  G01N 27/00 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N 37/00 H ,  G01N 27/00 Z ,  H01J 37/28 X ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピン偏極走査型トンネル装置および金属界面の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-171708   出願人：株式会社東芝
• 走査トンネル顕微鏡用試料ホルダ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-193139   出願人：日本電子株式会社