特許
J-GLOBAL ID：200903025385756559
GaAsウエハの研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小山田 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291670
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115864
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 作業性がよくしかも低コストであり、高精度なGaAsウエハの研磨方法を提供する。【解決手段】 GaAsウエハの加工、特に表面,裏面の両面とも鏡面に加工するGaAsウエハの加工方法において、鏡面加工であるポリッシング加工の前加工に平面研削機による研削加工を用いることを特徴とするGaAsウエハの研磨方法である。上記平面研削機で使用する砥石の粒度が#1700から#3000の範囲であるGaAsウエハの研磨方法である。
請求項（抜粋）：
GaAsウエハの加工、特に表面,裏面の両面とも鏡面に加工するGaAsウエハの加工方法において、鏡面加工であるポリッシング加工の前加工に平面研削機による研削加工を用いることを特徴とするGaAsウエハの研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 1/00
, H01L 21/306
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 B
, B24B 1/00 A
, H01L 21/306 B
