半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208258
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040775
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は半導体素子の回路形成面を樹脂により封止した構成の半導体装置及びその製造方法に関し、クラックの発生を抑制することにより信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】半導体素子22Aと、この半導体素子22Aを搭載する基板25と、半導体素子22Aに形成された回路形成面23を封止する封止樹脂27Aとを具備する半導体装置において、前記封止樹脂27Aに、前記した回路形成面23を封止する回路面封止部28Aに加え、これと一体的に半導体素子22Aの外周側面22aを覆う側面被覆部29Aを設ける。また、半導体素子22Aの高さ寸法をTとしたとき、側面被覆部29Aの回路形成面23からの高さtをT/4≦t≦Tとなるよう構成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を搭載する基板と、前記半導体素子が前記基板に搭載された状態において、前記半導体素子に形成された回路形成面を封止する封止樹脂と、を具備する半導体装置において、前記封止樹脂に、前記半導体素子の外周側面を覆う側面被覆部を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , B23K 26/00 , H01L 21/56 , H01L 21/60 311 , H01L 23/00 , H01L 23/12

FI (7件)：

H01L 23/30 B , B23K 26/00 B , B23K 26/00 C , H01L 21/56 E , H01L 21/60 311 S , H01L 23/00 A , H01L 23/12 L

Fターム (35件)：

4E068AB02 , 4E068AC01 , 4E068DA09 , 4E068DA10 , 4E068DB02 , 4M105AA02 , 4M105AA04 , 4M105AA16 , 4M105BB01 , 4M105FF00 , 4M105FF09 , 4M105GG18 , 4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109BA05 , 4M109CA05 , 4M109DA04 , 4M109DA08 , 4M109DB17 , 4M109EA02 , 4M109EA10 , 4M109EC01 , 4M109EC03 , 4M109EC05 , 4M109EE02 , 4M109GA08 , 4M109GA10 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061BA05 , 5F061CA05 , 5F061CB03 , 5F061CB13 , 5F061EA13 , 5F061GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体パッケージおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-169644 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体パッケージおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-169644 出願人：株式会社東芝

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