特許

J-GLOBAL ID：200903025399646586

薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： 中林 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059497
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249972
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 イリジウム膜及び酸化イリジウム膜を選択的に成長する薄膜形成方法を提供する。また、選択的に成長したイリジウム膜又は酸化イリジウム膜の微細パターンを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の領域に第1の物質が露出し、第2の領域に第2の物質が露出した被堆積基板上の第1の領域に、Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法により、選択的にイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を堆積する。

請求項（抜粋）：

Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法によりイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を形成する薄膜形成方法であって、第1の領域に第1の物質が露出し、第2の領域に第2の物質が露出した被堆積基板上の前記第1の領域に、選択的にイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を堆積することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (8件)：

C23C 16/04 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

C23C 16/04 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-263471   出願人：日本電気株式会社