特許

J-GLOBAL ID：200903025406036101

半導体装置およびその製造方法

発明者： 森 克己 ,  川原 敬 ,  糟谷 良和
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009369
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203261
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、トレンチ素子分離領域24を有するシリコン基板10を含む。トレンチ素子分離領域24内において、複数のダミー凸部領域32が設けられている。行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線L1を想定すると、第1の仮想直線L1と行方向とのなす角は、2〜40度である。また、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線L2を想定すると、第2の仮想直線L2と列方向とのなす角は、2〜40度である。ダミー凸部領域32は、第1の仮想直線L1および第2の仮想直線L2上に位置するように、配置されている。

請求項（抜粋）：

トレンチ素子分離領域を有し、前記トレンチ素子分離領域内において、複数のダミー凸部領域が設けられ、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であり、前記ダミー凸部領域は、前記第1の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。

Fターム (16件)：

5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA39 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032BA01 ,  5F032BA02 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ダミー構造体を有する集積回路およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237832   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体装置の素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225456   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226676   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175684   出願人：株式会社東芝