特許
J-GLOBAL ID：200903025408054239
半導体パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205321
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056873
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】高価なAlNやAl2O3絶縁基板等を用いず、安価なAlやCu等の金属基板を用いて信頼性と熱放散性を向上させ、大型化、高出力化へ対応。【解決手段】充填樹脂15の線膨張係数を半田3以上例えば(24±3)×10-6/°Cとし、ヤング率を1〜12Gpa望ましくは5〜8GPaとすることで、半導体チップ1周辺を半田3に近い物性を有する多少柔らかく、かつ密着力のあるエポキシ系樹脂15で取り囲むことで、チップに大きな応力が作用しないように保護し、チップの素子部、界面剥離破壊を防止し、かつ半田3の寿命を確保する。また、充填樹脂15のガラス転移温度Tgを150°C以上とすることで、2次リフロー等の高温時の充填樹脂の熱膨張による悪影響を抑える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁樹脂層を有する金属基板と、この金属基板の前記絶縁樹脂層に接合した金属製の熱拡散板と、メタライズ面を前記熱拡散板に半田付けされた半導体チップと、これらを収容するケースと、このケース内部に充填された樹脂を備えた半導体パワーモジュールにおいて、前記樹脂の線膨張係数を前記半田の線膨張係数以上とし、前記熱拡散板は、Cuと低膨張材の粉体を混合し焼結した焼結形成体と、この焼結形成体と連なるCu板とを備えたことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L25/07
, H01L23/29
, H01L23/31
, H01L25/18
H01L25/04 C
, H01L23/30 R
4M109AA01
, 4M109CA02
, 4M109EC04
