特許
J-GLOBAL ID：200903025430555500

単結晶薄膜層を有する基板およびその製造方法

発明者：
小林 健吉郎

小林 健吉郎 について

, 
富田 靖正

富田 靖正 について


出願人/特許権者：
財団法人浜松科学技術研究振興会

財団法人浜松科学技術研究振興会 について


代理人 (1件)： 朝日奈 宗太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-051339
公開番号（公開出願番号）：特開2005-239480
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】本発明は、特定のマイカ基板を用いて、酸化亜鉛前駆体の単分子吸着による二次元成長を行わせ、酸化亜鉛前駆体層を水蒸気と反応させることによって、平滑な酸化亜鉛単結晶薄膜層をマイカ基板上に再現性よく製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】マイカ基板上に酸化亜鉛の前駆体薄膜層を形成する工程、前記前駆体薄膜層を水蒸気と反応させる工程、さらに単層酸化亜鉛薄膜の上に高温で酸化亜鉛薄膜を堆積させる工程からなる酸化亜鉛単結晶薄膜層を有する基板の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
マイカ基板上に酸化亜鉛の前駆体薄膜層を形成する工程、前記前駆体薄膜層を水蒸気と反応させる工程、さらに単層酸化亜鉛薄膜の上に高温で酸化亜鉛薄膜を堆積させる工程 からなる酸化亜鉛単結晶薄膜層を有する基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365
FI (4件)：
C30B29/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365
Fターム (25件)：
4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4K030AA11 ,  4K030BA47 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10
引用特許：
出願人引用 (1件)

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