特許
J-GLOBAL ID:200903025434633620

発光ダイオード、ランプおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柿沼 伸司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-220222
公開番号(公開出願番号):特開2002-043621
出願日: 2000年07月21日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】大型の発光素子の発光面内の発光強度の均一性を改善し、輝度を向上させ、さらにワイヤボンドによる配線の工数を減らして組み立てコストを小さくすることができる大型の発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光面の最大幅が0.7mm以上であり、特に発光面の面積が0.25mm2以上である発光ダイオードにおいて、半導体層の光を取り出す発光面の一部に半導体層とオーミック接触をなす分配電極を形成し、さらに前記発光面と前記分配電極とを覆ってその分配電極と導通する透明導電膜を形成し、その透明導電膜の表面の一部に透明導電膜と導通する台座電極と形成する。
請求項(抜粋):
裏面に第1の電極が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発光部を含む半導体層と、前記半導体層の光を取り出す表面(発光面)の一部に分配して形成され、その半導体層とオーミック接触をなす分配電極と、前記発光面と前記分配電極とを覆って形成され、その分配電極と導通する透明導電膜と、前記透明導電膜の表面の一部に形成され、その透明導電膜と導通する台座電極とを有し、前記発光面の最大幅が0.7mm以上である発光ダイオード。
Fターム (16件):
5F041AA05 ,  5F041AA14 ,  5F041AA21 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041DA07 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭57-111076
  • 光電センサーの投光器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-203524   出願人:株式会社アイセンス
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-077817   出願人:ローム株式会社

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