半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077817
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275935
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】ドーパントの作用が充分でなく直列抵抗の大きい半導体層が用いられる半導体発光素子においてもチップ面積を大きくして輝度を上げることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に第1導電形層(p形層5)および第2導電形層(n形層3)が積層され発光層を形成する発光層形成部10と、該発光層形成部の第1導電形層および第2導電形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる電極(p側電極8、n側電極9)とからなる発光素子チップを有し、前記電極の少なくとも第1導電形層に接続される第1の電極(p側電極8)は、前記第1導電形層の異なる場所に接続されるように複数個設けられている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に第1導電形層および第2導電形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の第1導電形層および第2導電形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる電極とからなる発光素子チップを有し、前記電極の少なくとも第1導電形層に接続される第1の電極は、前記第1導電形層の異なる場所に接続されるように複数個設けられると共に、前記発光層形成部が、前記複数個設けられる第1の電極に対応するブロックに分割されてなる半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

面発光型半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-253979 出願人：住友電気工業株式会社
特公昭49-047995
特開平2-087685

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