特許

J-GLOBAL ID：200903025435299987

半導体構造体、半導体素子、窒化物半導体結晶の形成方法

発明者： 成川 幸男
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 吉澤 敬夫 ,  蟹田 昌之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-134065
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310688
出願日： 2005年05月02日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】 従来のバッファーでは、Si基板の上に形成される窒化物半導体層の結晶性が、十分に良好なものにはならなかった。本発明は、Si基板1の上に形成される窒化物半導体層5の結晶性をより向上することができる半導体構造体、半導体素子、および窒化物半導体結晶の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体構造体である。この半導体構造体においては、Si基板1の上に、Alが第1結晶として層状に形成され、この層状に形成されたAlの上に、GaNが第2結晶として形成されている。また、Si基板1の表面において、第1結晶が島状であり、この島状である一方が第2結晶に囲まれている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1結晶領域と第2結晶領域とをSi基板の表面に備えた半導体構造体において、 前記第1結晶領域は、AlとSiとを含む第1結晶を有し、 前記第2結晶領域は、Siを含むGaN系半導体を含む第2結晶を有している、 ことを特徴とする半導体構造体。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (18件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA61 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368566   出願人：理化学研究所, 学校法人早稲田大学