特許
J-GLOBAL ID：200903043638674544

低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子

発明者：
平山 秀樹

平山 秀樹 について

, 
青柳 克信

青柳 克信 について

, 
平田 彰

平田 彰 について


出願人/特許権者：
理化学研究所

理化学研究所 について

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学校法人 早稲田大学

学校法人 早稲田大学 について


代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368566
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170776
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】簡単なプロセスにより短時間で形成可能であり、かつ、クラックの発生する恐れのない低転位バッファーを提供する。【解決手段】基板と上記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第1の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第2の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と前記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第1の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第2の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成したものである低転位バッファー。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/80 H
Fターム (51件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045EK03 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311272   出願人：日亜化学工業株式会社

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