特許

J-GLOBAL ID：200903025444837428

フラッシュメモリ混載マイコン及びその検査方法

発明者： 福島 哲之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228429
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 製造工程全体の工程数を減少して生産時間が短縮できるとともに、不良となったメモリセルを確実に選別して検査精度を向上でき、さらに製品動作保証期間の全期間にわたって動作速度が保証できるフラッシュメモリ混載マイコン及びその検査方法を提供する。【解決手段】 拡散工程ではUV消去工程を実施しない状態でウエハーテスト工程でVT選別工程Tp1を実施することにより、拡散工程でチャージアップダメージをうけて閾値が異常に高くなったメモリセルを含む不良チップの選別を可能とし、かつ拡散工程での工程数を減少する。

請求項（抜粋）：

製造工程として少なくとも拡散工程とウエハーテスト工程と組立品テスト工程とを経て製造され、マイコン部にフラッシュメモリ部が付加されて混載されたフラッシュメモリ混載マイコンの検査方法であって、前記拡散工程では前記フラッシュメモリ部に対してその全メモリセルの閾値を揃えるための紫外線消去工程を実施しない状態で、前記ウエハーテスト工程で前記全メモリセルの閾値を検査して選別するための閾値選別工程を実施することを特徴とするフラッシュメモリ混載マイコンの検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  G11C 29/00 651

FI (3件)：

H01L 21/66 W ,  G11C 29/00 651 Z ,  G01R 31/28 B

Fターム (25件)：

2G032AA03 ,  2G032AA08 ,  2G032AB02 ,  2G032AB11 ,  2G032AD01 ,  2G032AD06 ,  2G032AD08 ,  2G032AK01 ,  2G032AK03 ,  2G032AK11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA04 ,  4M106AB08 ,  4M106AB20 ,  4M106CA32 ,  5L106AA10 ,  5L106AA16 ,  5L106DD31 ,  5L106DD32 ,  5L106DD36 ,  9A001BB03 ,  9A001JJ45 ,  9A001JJ46 ,  9A001KK54 ,  9A001LL05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の試験方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160579   出願人：株式会社東芝