プラズマエッチング装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033645
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245292
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】被処理体表面のエッチングレートの均一性の向上が図れる上に、そのエッチングのプロセス条件の変更に対しても、簡単に対処し得て、被処理体表面のエッチングレートの高い均一性が得られるようになるプラズマエッチング装置を提供することにある。【構成】真空処理容器1内に半導体ウェーハ10をセットしてプロセスガスを導入し、下部電極2と上部電極6との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該ウェーハ10のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置において、下部電極2上の被処理体支持部3の周囲に設置されるフォーカスリング4を、この表面の外周側部位にタングステン部材12が露出する状態に設けられている複合構造としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空処理容器内に被処理体をセットしてプロセスガスを導入し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、該被処理体のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置において、下部電極上の被処理体支持部の周囲に設置されるフォーカスリングを、この表面の外周側部位にタングステン系部材が露出する状態に設けられている複合構造としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭62-174920
プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160130 出願人：三菱電機株式会社
特開昭62-047130

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審査官引用 (6件)

特開昭62-047130
特開昭62-174920
プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160130 出願人：三菱電機株式会社

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