化合物半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345191
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208732
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】高信頼性を有する窒化物系化合物半導体からなる発光素子を提供する。【解決手段】化合物半導体装置は、結晶基板21と、基板21に支持されるように気相成長により形成され、且つマグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層25、26を具備する。第1半導体層25、26は、1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有する。

請求項（抜粋）：

結晶基板と、前記基板に支持されるように気相成長により形成され、且つマグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層を具備し、前記第1半導体層は、1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , C30B 29/38 D , H01L 21/205

Fターム (53件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TC02 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA53 , 5F041CA54 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA59 , 5F045EB13 , 5F045EB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-070874 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-068579

審査官引用 (3件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-070874 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-068579
特開平4-068579

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