特許

J-GLOBAL ID：200903025520313719

半極性窒化物単結晶薄膜の成長方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 白 好 善 ,  李 政 旭 ,  成 演 準
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-264173
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147305
出願日： 2008年10月10日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

【課題】窒化物単結晶薄膜の成長方法を開示する。【解決手段】m面六方晶系単結晶基板上に半極性窒化物単結晶基底層を形成する段階、絶縁性物質パターン層を形成する段階、半極性窒化物単結晶基底層上に半極性窒化物単結晶薄膜を側方向成長させる段階を含み、半極性窒化物単結晶薄膜の側方向成長段階は、成長面の一部がa面を有するよう半極性窒化物単結晶薄膜を1次側方向成長させる段階、及び1次側方向成長させられた窒化物単結晶薄膜が合体して(11-22)面を有する半極性窒化物単結晶薄膜が形成されるように2次側方向成長させる段階を含む窒化物単結晶薄膜の成長方法を提供する。【選択図】 図1d

請求項（抜粋）：

m面六方晶系単結晶基板上に半極性窒化物単結晶基底層を形成する段階と、 前記半極性窒化物単結晶基底層上に絶縁性物質パターン層を形成する段階と、 前記絶縁性物質パターン層が形成された前記半極性窒化物単結晶基底層上に半極性窒化物単結晶薄膜を側方向成長させる段階と、 を含み、 前記半極性窒化物単結晶薄膜を側方向成長させる段階は、 前記半極性窒化物単結晶基底層上に成長面の一部がa面を有するよう前記半極性窒化物単結晶薄膜を1次側方向成長させる段階と、 前記1次側方向成長させられた窒化物単結晶薄膜が合体して(11-22)面を有する前記半極性窒化物単結晶薄膜が形成されるよう2次側方向成長させる段階と、 を含むことを特徴とする窒化物単結晶薄膜の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (28件)：

5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体層の成長方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-133340   出願人：ソニー株式会社