熱酸化膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315796
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】基板温度を600°C以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な熱酸化膜を形成すること、および実効的な基板温度を低温に保ったまま、性能の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを含む半導体薄膜表面にレーザー照射し加熱溶融することにより前記シリコンを含む半導体薄膜上に熱酸化膜を形成する。このとき、シリコンを含む半導体薄膜上に少なくとも酸素原子を含む物質を形成しておき、シリコンを含む半導体薄膜の表面および少なくとも酸素原子を含む物質にレーザー照射し加熱溶融するか、または、シリコンを含む半導体薄膜表面に酸化性の物質を吹き付けながらシリコンを含む半導体薄膜表面をレーザー照射し加熱溶融することが望ましい。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体薄膜上に、少なくとも酸素原子を含む物質を形成し、レーザー照射してシリコンを含む半導体薄膜表面および少なくとも酸素原子を含む物質を加熱溶融することにより、前記シリコンを含む半導体薄膜上に熱酸化膜を形成することを特徴とする熱酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 617 V , H01L 21/316 S

Fターム (41件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF62 , 5F058BF77 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体素子の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230732 出願人：松下電器産業株式会社

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