半導体素子の製造方法、および液晶表示装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074529
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】多結晶半導体膜の結晶性が良好で、界面の欠陥も少なく、したがって、電界効果移動度が大きく、さらに、良好なしきい値電圧特性やサブスレッショルド特性を有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】酸素雰囲気下において、ガラス基板31上に成膜された非晶質シリコン膜32の表面にレーザ光を照射することにより多結晶シリコン膜33を形成するとともに、上記多結晶シリコン膜33の表面部分に酸化シリコン膜34を形成する。これにより、多結晶シリコン膜33の界面に生じるダングリングボンドが減少するとともに、不純物が混入することがないので、界面欠陥の少ない良好な結晶性が得られ、また、半導体酸化膜は高温で形成されるので、良好な膜質の半導体酸化膜が得られ、したがって、TFT特性が良好な半導体素子が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非晶質半導体膜にエネルギビームを照射することにより多結晶半導体膜を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、上記多結晶半導体膜を形成する工程を酸素を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/13 101 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/13 101 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-033934
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235463 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345632 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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