特許

J-GLOBAL ID：200903025539630693

半導体多層材料及びその製造方法

発明者： ツォン リー ,  吉川 淳 ,  茶木 勝弘 ,  鈴木 成和 ,  林 健郎
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316444
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 高品質の半導体多層材料を提供し、また、そのような材料を歩留まり良く製造できる方法を提供する。【構成】 トップシリコン層を有する半導体多層材料の製造方法において、1019cm-3以上の濃度でボロンを含有するシリコンウエーハ11を用い、水素雰囲気中1000°C以上の温度で熱処理を行い、ウエーハ表層付近のボロンを外方拡散してそこにボロン低濃度層11aを形成し、しかる後に、アルカリ溶液を用いてエッチング処理を行ってトップシリコン層11bを薄化処理することを特徴とする半導体多層材料の製造方法。前記方法によって製造した半導体多層材料において、ボロン濃度が1019cm-3以上であり、肉厚X(f)が5μm以下のトップシリコン層(11b)を有する半導体多層材料

請求項（抜粋）：

トップシリコン層を有する半導体多層材料の製造方法において、1019cm-3以上の濃度でボロンを含有するシリコンウエーハ(11)を用い、水素雰囲気中1000°C以上の温度で熱処理を行い、ウエーハ表層付近のボロンを外方拡散してそこにボロン低濃度層(11a)を形成し、しかる後に、アルカリ溶液を用いてエッチング処理を行ってトップシリコン層(11b)を薄化処理することを特徴とする半導体多層材料の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 拡散結合SOI基板の埋め込み拡散層のモニター 方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-256066   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平2-278766
  
• 特開昭61-182241
  
• 特開昭6-338604