特許
J-GLOBAL ID：200903025583208583

トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ

発明者：
フシエフ、フュー-イウアン

フシエフ、フュー-イウアン について

, 
ツイ、ヤン、マン

ツイ、ヤン、マン について

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ソー、クーン、チョング

ソー、クーン、チョング について


出願人/特許権者：
ゼネラル セミコンダクター,インク.

ゼネラル セミコンダクター,インク. について


代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-535170
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511910
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
1つ以上の整流器領域内に設けられた複数のトレンチショットキーバリア整流器と、1つ以上のトランジスタ領域内に設けられた複数のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタとを有する集積回路を提供する。この集積回路は、(a)第1の伝導性タイプを有する基板と、(b)基板上に形成され、第1の伝導性タイプを有し、基板より不純物濃度が低いエピタキシャル層と、(c)エピタキシャル層内のトランジスタ領域に形成され、第2の伝導性タイプを有する1つ以上のボディ領域と、(d)エピタキシャル層内のトランジスタ領域と整流器領域の両方に形成された複数のトレンチと、(e)トレンチの内壁に形成された第1の絶縁層と、(f)トレンチ内の第1の絶縁層上に埋め込まれたポリシリコン導電材料と、(g)トレンチに隣接するボディ領域の一部に形成された、第1の伝導性タイプを有する複数のソース領域と、(h)トランジスタ領域内のポリシリコン導電材料上に形成された、第2の絶縁層と、(i)トランジスタ領域及び整流器領域上に形成された導電層とを備える。
請求項（抜粋）：
1つ以上の整流器領域内に設けられた複数のトレンチショットキーバリア整流器と、1つ以上のトランジスタ領域内に設けられた複数のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタとを有する集積回路を製造する集積回路製造方法において、 第1の伝導性タイプを有する基板を準備する工程と、 上記基板上に、上記第1の伝導性タイプを有し、該基板より不純物濃度が低いエピタキシャル層を形成する工程と、 上記エピタキシャル層内の上記トランジスタ領域に第2の伝導性タイプを有する1つ以上のボディ領域を形成する工程と、 上記エピタキシャル層内の上記トランジスタ領域と上記整流器領域の両方に複数のトレンチを形成する工程と、 上記トレンチの内壁に第1の絶縁層を形成する工程と、 上記トレンチ内の上記第1の絶縁層上にポリシリコン導電材料を埋め込む工程と、 上記トレンチに隣接するボディ領域の一部に上記第1の伝導性タイプを有する複数のソース領域を形成する工程と、 上記トランジスタ領域内の上記ポリシリコン導電材料上に第2の絶縁層を形成する工程と、 上記トランジスタ領域及び上記整流器領域上に導電層を形成する工程とを有する集積回路製造方法。
IPC (6件)：
H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (6件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/48 P ,  H01L29/50 M
Fターム (28件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD55 ,  4M104DD94 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG13 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB06 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF04 ,  5F048BF16 ,  5F048CB07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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