半導体装置とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133807
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055507
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】パワーMOSFET素子内の内蔵ダイオードに順方向電流が流れスイッチング動作する間での逆回復時間を短縮する。【解決手段】 N-型層22の表面にベース領域25、ソース領域26、ゲート電極29を形成してMOSFET素子23とする。隣接するN-型層22の表面にバリアメタル31をショットキー接触させて電気的に接続する。N-型層22は3x10の16乗以下の不純物濃度とする。バリアメタル31を接触させた状態で700°C以下の温度での熱処理によりショットキー接合を得る。MOSFET素子23においてはオーミック接合を得る。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記基板上に形成されたドレイン領域となる同導電型のエピタキシャル層と、前記ドレイン領域に規則的に配列された反対導電型ボディ領域と、前記ボディ領域内に配置された一導電型のソース領域と、前記ソース領域とドレイン領域間にチャネルを形成するゲート電極と、前記ソース領域を共通接続するソース電極とを備え、前記一導電型のドレイン領域と前記逆導電型のボディ領域間に形成される内蔵ダイオードを有し、前記内蔵ダイオードに順方向電流が流れた後スイッチング動作する半導体装置であって、前記内蔵ダイオードに並列に接続されるショットキーバリアダイオードを同一の前記基板に形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/48 F , H01L 29/78 656 G , H01L 29/78 657 D

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-110867
特開平1-220475
特開平4-171769

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審査官引用 (8件)

特開平3-110867
特開平1-220475
特開平4-171769

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