特許

J-GLOBAL ID：200903025600929656

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 鈴木 成和
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111653
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】安価で高平坦度な大口径半導体ウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体インゴットより切断されたスライスウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成し、研削装置のロータリーチャックテーブルにスライスウェーハの基準面が当接するようにスライスウェーハを載置し、しかるのちスライスウェーハの他表面を研削する。

請求項（抜粋）：

半導体インゴットを切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工程と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化する膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスライスウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工程と、研削装置のテーブルの基準面と前記スライスウェーハの基準面が当接するように前記テーブルに前記スライスウェーハを載置し、しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工程とよりなることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  B24B 1/00

FI (4件)：

H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 331 ,  B24B 1/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ワークの平面研削方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227291   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平2-076675
  
• 特開昭62-119006