特許

J-GLOBAL ID：200903025612112272

化合物半導体の湿式エッチング方法

発明者： 八尾 秀樹 ,  姚 學麟 ,  作原 寿彦 ,  板谷 謹悟
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  八尾 秀樹 ,  作原 寿彦
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054476
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 原子レベルで表面が平坦化された化合物半導体基板を湿式エッチングで得る。【構成】 H2 O2 又は溶存酸素を含む酸性又はアルカリ性溶液に化合物半導体基板を浸漬し、レストポテンシャル以下の電位を化合物半導体基板に印加して基板表面をエッチングする。化合物半導体に印加する電位は、レストポテンシャルからレストポテンシャルより1.5Vカソード側の範囲に調整することが好ましい。酸性溶液としては、硫酸,リン酸,クエン酸等が使用される。アルカリ性溶液としては、水酸化アンモニウム,水酸化ナトリウム等が使用される。エッチングされる化合物半導体基板には、GaAs,InP等のIII-V族化合物半導体がある。【効果】 動作層に影響を及ぼす表面凹凸がないため、高性能化,高機能化に伴って数ナノメータ程度のエピタキシャル薄膜や超微細構造が要求される量子効果デバイス等に適した基板が得られる。

請求項（抜粋）：

H2 O2 又は溶存酸素を含む酸性又はアルカリ性溶液に化合物半導体基板を浸漬し、レストポテンシャル以下の電位を化合物半導体基板に印加して基板表面をエッチングすることを特徴とする化合物半導体の湿式エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 ,  C25F 3/12 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/306 L ,  C25F 3/12 ,  H01L 21/308 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173467   出願人：新技術事業団, 鍛示和利, 作原寿彦
• 特開平2-266523
  
• 特開昭48-066540
  
• 特開平1-030232