不純物の導入装置及び不純物の導入方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017925
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307039
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の膜厚が小さくなっても、ゲート絶縁膜の破壊率が大きくならないようにする。【解決手段】イオンビーム119は、ウェハ100又はウェハ100上に形成された膜からなる被処理物に、電荷を持つ不純物を導入する。電子供給システム117は、被処理物に不純物が持つ電荷を打ち消すための電子を供給する。電子供給システム117により供給される電子のエネルギーが、ウェハ100に形成されているゲート酸化膜が破壊される電子のエネルギーよりも大きい場合には、ウェハ電圧コントローラ114からチューブバイアスコントローラ104及びアーク電流コントローラ110に対して制御信号を出力して、第1の電圧供給源103から供給されるチューブバイアス電圧の大きさ及び電流供給源109から供給されるアーク電流の電流値を低減させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板又は半導体基板上に形成された膜からなる被処理物に、電荷を持つ不純物を導入する不純物導入手段と、前記被処理物に、前記不純物が持つ電荷を打ち消すための電子を供給する電子供給手段と、前記電子供給手段により供給される電子の最大エネルギーを所定値以下に制御する制御手段とを備えていることを特徴とする不純物の導入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 , H01J 37/20 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 Z , H01J 37/20 H , H01L 21/265 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

イオン照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-153011 出願人：日新電機株式会社
電球形蛍光灯
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-156798 出願人：松下電子工業株式会社

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