特許
J-GLOBAL ID：200903025618006946
太陽電池モジュ-ルとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036613
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 パーシャルシェード状態においても、モジュールとしての出力の低下が最小限に抑えられ、ユニットセルの損傷も無く、殆ど複雑さを増すことない新規な構成の太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電極と、第1の導電型を有する第1の半導体層と、第2の導電型を有する第2の半導体層とをこの順に少なくとも有するユニットセルが複数直列接続された太陽電池モジュールにおいて、前記電極は、第1の半導体層に覆われない領域を有し、第2の半導体層は溝によって主の領域と従の領域に分離されており、ユニットセルのうち一のユニットセルの第2の半導体層の主の領域は該一のそれに隣接する他のユニットセルの電極の第1の半導体層に覆われない領域と電気的に接続されており、該一のそれの電極の第1の半導体層に覆われない領域は、他のユニットセルの第2の半導体層の従の領域と電気的に接続されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
電極と、第1の導電型を有する第1の半導体層と、第2の導電型を有する第2の半導体層と、をこの順に少なくとも有するユニットセルが複数直列接続された太陽電池モジュールにおいて、前記電極は、前記第1の半導体層に覆われない領域を有し、前記第2の半導体層は溝によって主の領域と従の領域に分離されており、前記ユニットセルのうち一のユニットセルの第2の半導体層の主の領域は、該一のユニットセルに隣接する他のユニットセルの電極の第1の半導体層に覆われない領域と電気的に接続されており、該一のユニットセルの電極の第1の半導体層に覆われない領域は、前記他のユニットセルの第2の半導体層の従の領域と電気的に接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 R
, H01L 31/04 C
, H01L 31/04 S
