特許
J-GLOBAL ID：200903025621955703

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松浦 正純

松浦 正純 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-348736
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152076
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 銅配線構造をもつ半導体装置において、シリコン炭化膜の銅拡散防止能を改善し、銅拡散により引き起こされる絶縁破壊までの寿命を長時間化することにある。また、その製造方法も提供する。【解決手段】 第1の銅配線7と第2の低誘電率層間絶縁膜9との間に第1の銅拡散防止膜8を設ける。第1の銅拡散防止膜8には、酸素原子、または、それに加えて窒素原子を30原子%以上含ませたシリコン炭化膜を採用する。そのようなシリコン炭化膜を採用することで、銅拡散防止機能が改善され、銅拡散に起因する絶縁破壊までの寿命を長時間化させることができる。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜と、銅を主成分とする導電体と、シリコン炭化膜とを備え、前記導電体と前記層間絶縁膜との間には、前記シリコン炭化膜が介在し、前記シリコン炭化膜には、酸素原子が30原子%以上含まれる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/314
FI (3件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 A
Fターム (47件)：
5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT08 ,  5F033WW04 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264225   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-146242   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264225   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-146242   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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