特許
J-GLOBAL ID：200903043239451574

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鈴木 智美

鈴木 智美 について

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山本 陽一

山本 陽一 について

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小竹 勇一郎

小竹 勇一郎 について

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猪鹿倉 博志

猪鹿倉 博志 について

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大河原 昭司

大河原 昭司 について

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塩谷 喜美

塩谷 喜美 について

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大平 浩一

大平 浩一 について

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前田 和夫

前田 和夫 について


出願人/特許権者：
キヤノン販売株式会社

キヤノン販売株式会社 について

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株式会社半導体プロセス研究所

株式会社半導体プロセス研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264225
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326224
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 配線を被覆して低誘電率を有する層間絶縁膜を形成し、かつ層間絶縁膜にビアホール等を形成したときに、配線の酸化やエッチングを防止することができ、かつ層間絶縁膜を挟む配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】 配線23が露出している被成膜基板21上に層間絶縁膜25を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、配線23と層間絶縁膜25の間に、Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜24を形成する。
請求項（抜粋）：
配線が露出している被成膜基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、前記配線と前記層間絶縁膜の間に、前記Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (6件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 A
Fターム (58件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW07 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045EH01 ,  5F045EH11 ,  5F045EH14 ,  5F045EH17 ,  5F045HA13 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF26 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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