半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264225
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326224
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】配線を被覆して低誘電率を有する層間絶縁膜を形成し、かつ層間絶縁膜にビアホール等を形成したときに、配線の酸化やエッチングを防止することができ、かつ層間絶縁膜を挟む配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】配線23が露出している被成膜基板21上に層間絶縁膜25を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、配線23と層間絶縁膜25の間に、Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜24を形成する。

請求項（抜粋）：

配線が露出している被成膜基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、前記配線と前記層間絶縁膜の間に、前記Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/31 C , H01L 21/88 M , H01L 21/90 S , H01L 21/90 A

Fターム (58件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033WW01 , 5F033WW07 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DP03 , 5F045EH01 , 5F045EH11 , 5F045EH14 , 5F045EH17 , 5F045HA13 , 5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF26 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-006381 出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-320973 出願人：日本電気株式会社
エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-117680 出願人：松下電器産業株式会社

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