特許

J-GLOBAL ID：200903025624483918

集束イオンビ-ム加工装置およびエッチング加工方法

発明者： 鶴原 健次 ,  今瀧 智雄 ,  袖木 浩一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208090
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 試料に対して、所望の箇所に、所望の大きさのエッチング溝を、その側壁が所望の角度となるように形成することが可能な集束イオンビーム加工装置を提供する。【解決手段】 イオンビームIBを出射するイオン源2と、半導体素子12を保持するとともに、半導体素子12を回転させる回転ステージを備えた試料ステージ8とを備え、イオン源2を内部に備えたイオンカラム1の傾斜角度を調節することによって、イオンビームIBが半導体素子12の表面に入射する角度を調節する。そして、半導体素子12を回転させた状態でイオンビームIBを照射し、エッチング加工を行う。

請求項（抜粋）：

試料に対してイオンビームを照射することによってエッチング加工を行う集束イオンビーム加工装置において、イオンビームを出射するイオン源と、試料を保持する試料保持手段と、イオンビームが試料に入射する角度を任意の角度に調節する入射角度制御手段とを備えていることを特徴とする集束イオンビーム加工装置。

IPC (3件)：

H01J 37/305 ,  H01J 37/20 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01J 37/305 A ,  H01J 37/20 A ,  H01L 21/302 D

Fターム (17件)：

5C001AA03 ,  5C001AA05 ,  5C001AA06 ,  5C001BB07 ,  5C001CC07 ,  5C034BB07 ,  5C034BB08 ,  5C034CC01 ,  5C034CC08 ,  5C034CC19 ,  5C034CD08 ,  5C034DD06 ,  5F004BA17 ,  5F004BB24 ,  5F004CA05 ,  5F004EA19 ,  5F004EA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-065825
  
• 荷電粒子線装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-150810   出願人：日本電子株式会社
• 特開昭64-042822