特許
J-GLOBAL ID：200903025629013634

高周波加熱装置

発明者：
中井 和広

中井 和広 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329809
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148283
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 リセスゲート構造のSITをマイクロ波発振モジュールとして利用した高周波加熱装置を提供する。【解決手段】 SIT出力モジュール2は、複数のSIT2a,2bで構成され、単一の外部発振素子1を励振部として130Wの出力を呈する。SPST高周波スイッチ3は、SIT出力モジュール2からの出力をバトラーマトリックス4の各給電端子a)〜d)に順次排他的に入力する。バトラーマトリックス4は、4つの位相の高周波を4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5の各1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dに供給する。こうして、SIT出力モジュール2を構成する複数のSIT2a,2bの出力を電力合成することによって大きな加熱能力を得る。
請求項（抜粋）：
リセスゲート構造の静電誘導トランジスタを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、複数の上記発振源を有する高周波出力モジュールと、この高周波出力モジュールの出力を電力合成する電力合成手段を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
IPC (2件)：
H05B 6/64 ,  H05B 6/66
FI (2件)：
H05B 6/64 G ,  H05B 6/66 C
Fターム (15件)：
3K086AA01 ,  3K086AA02 ,  3K086AA08 ,  3K086BA07 ,  3K086DA14 ,  3K086DB03 ,  3K086DB05 ,  3K090AA01 ,  3K090AA02 ,  3K090AA04 ,  3K090AB02 ,  3K090CA14 ,  3K090DA11 ,  3K090DA18 ,  3K090EB13
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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