電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135450
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】ゲート酸化膜にHTO-CVD膜を用いると熱酸化膜を用いた場合よりも耐圧特性は良くなるが、しきい値電圧Vthの面内バラツキが大きくなってしまう。【解決手段】ゲート酸化膜10をCVD膜から構成し、かつゲート酸化膜10内の電荷密度を2×1011cm-2以下に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板とゲート電極との間にゲート酸化膜を有する電界効果型トランジスタにおいて、ゲート酸化膜がCVD膜で構成され、かつ該ゲート酸化膜内の電荷密度が2×1011cm-2以下に設定されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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