酸化シリコン薄膜の改質方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321106
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】低温プロセスにおいて、良質なゲート絶縁層およびゲート絶縁層と半導体層との良質な界面の得られる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】透光性ガラス基板1上に活性半導層2を形成し、その上にゲート絶縁層5として酸化シリコン薄膜を形成する。この酸化シリコン薄膜に酸素ガスを高周波放電により分解したプラズマを照射して、良質な酸化シリコン薄膜にする。つぎに、ゲート絶縁層5の上にゲート電極6を形成する。そして、ゲート電極6をマスクとして活性半導層2の一部の領域に不純物を導入して、ソース領域3およびドレイン領域4を形成する。その上に、層間絶縁層7を形成した後、コンタクトホールを形成し、ソース電極8とドレイン電極9を形成して薄膜トランジスタが完成する。

請求項（抜粋）：

600°C以下の温度で形成した酸化シリコン薄膜に、酸素を主成分とするガスのプラズマを600°C以下の温度で照射することを特徴とする酸化シリコン薄膜の改質方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-041731
特開昭63-015468
半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068857 出願人：川崎製鉄株式会社

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