特許
J-GLOBAL ID：200903025651084111

酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法

発明者：
安松 拓人

安松 拓人 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二 ,  米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-164344
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339520
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】半導体基板に対し、基板の歪みを生じさせずに良質な酸化膜を短時間に形成することが可能な酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜形成装置1は、プラズマジェット100噴出用のノズル部50を有する中空の第1電極10と、第1電極10内に第1電極10から離間して設けられた第2電極11と、第1電極10内にプラズマ生成ガスを供給するプラズマ生成ガス供給手段13とを備え、プラズマ生成ガス供給手段13から供給されたプラズマ生成ガスを第1電極10と第2電極11との間の放電によりプラズマに生成してノズル部からプラズマジェット100として噴出する酸化膜形成装置であって、プラズマジェット100に酸化膜形成ガスが含まれるように、酸化膜形成ガスを供給する酸化膜形成ガス供給手段14をさらに備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマジェット噴出用のノズル部を有する中空の第1電極と、 上記第1電極内に該第1電極から離間して設けられた第2電極と、 上記第1電極内にプラズマ生成ガスを供給するプラズマ生成ガス供給手段と、 を備え、上記プラズマ生成ガス供給手段から供給されたプラズマ生成ガスを上記第1電極と上記第2電極との間の放電によりプラズマに生成して上記ノズル部からプラズマジェットとして噴出する酸化膜形成装置であって、 プラズマジェットに酸化膜形成ガスが含まれるように、酸化膜形成ガスを供給する酸化膜形成ガス供給手段をさらに備えた酸化膜形成装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/316 A
Fターム (12件)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EF02 ,  5F045EH18 ,  5F045EM10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-289440   出願人：石川島播磨重工業株式会社
  • 基板熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119871   出願人：株式会社ガソニックス

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