特許

J-GLOBAL ID：200903035658559854

半導体膜の形成方法

発明者： 芳之内 淳
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 島村 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289440
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126750
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板上に形成される半導体膜の、品質の均一性を高める。【解決手段】 絶縁性基板1上に非晶質シリコン膜2を形成する第1工程と、不活性な気体の雰囲気で前記非晶質シリコン膜2を熱処理して多結晶シリコン膜3に変換する第2工程と、酸素や水蒸気など酸化能力のある気体を含む雰囲気で前記多結晶シリコン膜の表面層を酸化して酸化シリコンの絶縁膜4を形成する第3工程とを有し、前記第2工程と第3工程は、圧力が5〜50atm 、温度が300〜700°Cで行われる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を形成する第1工程と、不活性な気体の雰囲気で前記非晶質シリコン膜を熱処理して多結晶シリコン膜に変換する第2工程と、酸化能力のある気体を含む雰囲気で前多結晶シリコン膜の表面層を酸化して酸化シリコンの絶縁膜を形成する第3工程とを有し、前記第2工程と第3工程は、圧力が5〜50atm 、温度が300〜700°Cで処理が行われることを特徴とする半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-305610   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-346712   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-304670
  
• 特開昭63-304670