特許

J-GLOBAL ID：200903025654419653

容量素子の製造方法

発明者： 長野 能久 ,  嶋田 恭博 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157293
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012836
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 高誘電体または強誘電体を容量絶縁膜とする容量素子形成のための容量絶縁膜及び電極材料のドライエッチングにおいて、側壁残さのないエッチング形状を実現し、信頼性に優れた容量素子を歩留まりよく製造する方法を提供する。【解決手段】 支持基板1上に容量素子用電極または容量絶縁膜2及びマスク3を形成し、容量素子用電極または容量絶縁膜2をドライエッチングする。次に、エッチング後大気に曝すことなく洗浄し、マスク3の側壁に付着した反応生成物4を除去する。次に、マスク3を除去する。洗浄を行う雰囲気が、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスであり、洗浄に用いる溶液が、水、塩酸、硝酸、弗酸及び有機溶剤から選ばれる少なくとも一つを含む溶液であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

高誘電率を有する誘電体または強誘電体を容量絶縁膜とする容量素子の形成において、マスク材料をパターニングする工程と、前記容量素子を構成する電極材料または誘電体材料をドライエッチングする工程と、前記ドライエッチング後に大気に暴露することなく洗浄を行う工程と、前記マスク材料を除去する工程とを有することを特徴とする容量素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008348   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-180040
  
• 特開平4-014222
  
• 特開昭8-296067