特許
J-GLOBAL ID：200903057047630980

ドライエッチング方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221070
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜を用いた半導体装置の電極等に用いる、白金層の異方性ドライエッチング方法を提供する。【構成】 S2 F2 等プラズマ中に遊離のイオウを放出しうるハロゲン化イオウ系化合物を含むエッチングガスを用いて、基板温度を特定範囲に加熱制御しつつPt系金属層3をドライエッチングする。【効果】 イオウあるいはポリチアジル等のイオウ系化合物の堆積を側壁保護膜6として利用するので、異方性が向上する。特定温度範囲の基板加熱を行うので実用的なエッチングレートが得られる。エッチング終了後は側壁保護膜を基板加熱により昇華除去するのでパーティクル汚染の虞れがない。
請求項（抜粋）：
被エッチング基板を90°C以下に制御しつつ、放電電離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを放出しうるハロゲン化イオウ系化合物を含むエッチングガスにより、被エッチング基板上にイオウを堆積させながら、Pt金属層をエッチングすることを特徴とする、Pt金属層のドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N
引用特許：
審査官引用 (5件)
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