特許
J-GLOBAL ID：200903025655228452
静電容量型加速度センサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354072
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177034
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 重錘体をダイシングにて形成することなく生産性よく製造でき、かつセンサ自体を完全に機密にでき、安定的な導通が確保できる電極構造を有し、信頼の高い構成からなる静電容量型加速度センサとその製造方法の提供。【解決手段】 ビーム11aによる支持構造を設けて形成される可動部11bに重錘体12を設けるに際し、パーティクルが発生するダイシングにて形成することなく、エッチング技術にて基板厚みを利用して重錘体12を形成するため生産性よく製造でき、所要のパターニングにより作製する基板を順次積層、接合する構成であるためセンサ自体を完全に機密にでき、外部電極18を設けた半導体基板16と接合されたガラス基板13に設けた貫通孔にて露出する半導体基板面と貫通孔に電極14,15を蒸着にて形成するため、安定的な導通が確保できる電極構造を有する。
請求項（抜粋）：
ビームによる支持構造を有する可撓基板の複数の可動部下面に重錘体を設けて固定基板を対向配置し、該可動部上面に電極を対向配置して静電容量ギャップ部を設けた静電容量型加速度センサにおいて、半導体基板にパターンニングにより支持構造を設けて形成する可動部の厚みを相対的に厚くした重錘体を有する可撓基板を固定基板上に接合し、所要パターンで設けた円錐や角錐状の貫通孔を有するガラス基板と半導体基板が貫通孔の円錐頂部側で接合された複合板の両面に所要パターンで設けた電極同士が上記貫通孔で半導体を介して導通した構成の複合板を前記可撓基板の上面に電極を対向配置して接合され、内部が密閉された静電容量型加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
