特許
J-GLOBAL ID：200903025658263879
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038159
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249820
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 GaN系材料を用いた発光層に高効率の発光センターを高密度に形成することができ、高輝度短波長を実現し得る半導体レーザを提供すること。【構成】 3C-SiC基板31上に、n-GaNバッファ層32を介して、n-GaAlNクラッド層33,GaN発光層34及びp-GaAlNクラッド層35からなるダブルヘテロ接合構造を形成し、その上にn-GaN電流阻止層36及びp-GaNコンタクト層17を形成した半導体レーザにおいて、発光層34中にAsを添加し、この添加したAs元素が形成する等電子トラップを発光中心としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、Ga<SB>x</SB> Al<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N(0<x≦1,0≦y<1)からなる発光層が第1導電型及び第2導電型のクラッド層で挟持されてなるダブルヘテロ接合構造を形成した半導体発光素子において、前記発光層中にP,As,Sb,Bi及びBからなる群より選ばれた少なくとも1種が添加され、該添加された元素が形成する等電子トラップを発光中心としたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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