特許

J-GLOBAL ID：200903025658295533

化学的気相成長法による成膜装置

発明者： 高橋 一郎
出願人/特許権者： 日本プロセスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075134
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246193
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 従来技術の化学的気相成長法による成膜装置のように、固定された調流板の場合には製造する半導体素子の種類によって、調流板の高さ位置が品質重視のものと生産性重視の2台を必要としたり、品質重視の1台で各種の成膜を行うと過剰品質になったり生産性が著しく低下する。【解決手段】 処理基板(ウエハ)14が載置されるターンテーブル15と協働して材料ガス17の流路を形成する調流板18を、昇降手段35によって当該ターンテーブル15に対して近接または離間させるように移動自在にした化学的気相成長法による成膜装置である。【効果】 製造する半導体素子の種類によって調流板の高さ位置を調整し、品質重視のものと生産性重視の成膜を1台で兼用することができ、双方の成膜を最適条件で能率的且つ安価に行うことができる。

請求項（抜粋）：

成膜槽中でターンテーブルに保持された処理基板をヒータで加熱し、上記ターンテーブルと対向させた調流板の軸心に設けた噴射口から材料ガスを噴射させると共に、当該調流板とターンテーブルの間に形成された流路に沿って外周側へ材料ガスを流動させ、当該材料ガスによって処理基板上に被膜層を熱分解生成させる化学的気相成長法による成膜装置において、上記調流板を昇降手段によって上記ターンテーブルに対して近接または離間させるように移動自在にしたことを特徴とする化学的気相成長法による成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 B ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217035   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所