特許
J-GLOBAL ID：200903025676993884

電子素子の製造方法および電子素子

発明者：
荒牧 晋司

荒牧 晋司 について

, 
芳山 龍一

芳山 龍一 について

, 
酒井 良正

酒井 良正 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154953
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032914
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。【解決手段】 基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/又は有機導電体の前駆体を有機 半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/または有機導電体の前駆体を有機半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 51/05 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861
FI (7件)：
H01L29/28 ,  H01L21/28 301Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/91 G ,  H01L29/91 H
Fターム (55件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD92 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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